مایکرون نقشه راه جامع خود برای حافظه‌های DRAM و NAND را تشریح کرد

شرکت مایکرون نقشه راه حافظه‌های DRAM و NAND خود را برای چند سال آینده فاش کرده و برنامه‌های خود را برای استفاده از اتصالات ویفر، مواد جدید برای کوچک‌تر کردن سلول‌های NAND، لیتوگرافی High-NA EUV و حرکت به سمت DRAM سه‌بعدی تشریح کرده است. شاید بارزترین بخش این خبر این باشد که مایکرون قصد دارد سبد محصولات سفارشی DRAM و NAND خود را گسترش دهد، زیرا توسعه‌دهندگان هوش مصنوعی به طور فزاینده‌ای به راه‌حل‌های حافظه و ذخیره‌سازی بهینه شده برای معماری‌ها و بارهای کاری خاص خود نیاز دارند.

اسکات دی‌بوئر، رئیس و مدیر ارشد فناوری و محصولات مایکرون، در رویداد اخیر این شرکت گفت که حافظه DRAM در حال نزدیک شدن به محدوده‌های اتمی خود است و این شرکت بر روی معرفی DRAM سه‌بعدی در زمان بهینه از نظر هزینه و عملکرد تمرکز دارد. در بخش NAND نیز مایکرون روی مواد جدید برای متراکم کردن معماری سلولی تمرکز کرده است.

مایکرون تصمیم گرفته است از برنامه‌های تولید DRAM با سلول‌های حافظه 4F2 صرف‌نظر کند و در عوض، نقشه راه این شرکت برای سال‌های آینده شامل پیوند ویفر، لیتوگرافی High-NA EUV، مواد جدید و در نهایت DRAM سه‌بعدی است. این شرکت قصد دارد تولید انبوه نسل بعدی حافظه 1δ خود را در نیمه دوم سال ۲۰۲۷ آغاز کند.

علاوه بر این، مایکرون قصد دارد از فناوری‌های ساخت آینده خود برای محصولات HBM4E، HBM5، HBM5E و معماری‌های حافظه یکپارچه عمودی جدید استفاده کند. این شرکت همچنین با شرکت‌هایی مانند متا برای بهینه‌سازی LPDDR6 برای برنامه‌های مرکز داده همکاری می‌کند.