فناوری FDX Fusion از GlobalFoundries؛ عملکردی در سطح ۷ نانومتر بدون نیاز به EUV

شرکت GlobalFoundries با معرفی معماری جدید FDX Fusion، رویکردی متفاوت برای دستیابی به عملکرد تراشه‌های کلاس ۷ نانومتری در پیش گرفته است. این شرکت که هشت سال پیش توسعه فناوری FinFET در ابعاد ۷ نانومتر را کنار گذاشته بود، اکنون با تکیه بر فناوری FD-SOI (سیلیکون روی عایق کاملاً تخلیه‌شده)، قصد دارد مسیری مقرون‌به‌صرفه‌تر را طی کند. FDX Fusion نیازی به لیتوگرافی فرابنفش دور (EUV) ندارد، که همین مسئله باعث کاهش چشمگیر هزینه‌های ساخت و طراحی می‌شود.

سودیپتو بوس، معاون بخش FD-SOI در GlobalFoundries، جزئیات تازه‌ای از این فناوری منتشر کرده است. طبق گفته‌های او، FDX Fusion چگالی منطقی در سطح تراشه‌های ۸ نانومتری ارائه می‌دهد و به دلیل استفاده از ترانزیستورهای پلانار پیشرفته، بازدهی انرژی و عملکردی مشابه ۷ نانومتر را برای مشتریان فراهم می‌کند. این فناوری به‌ویژه برای حوزه‌هایی مانند اتصال (Wi-Fi، بلوتوث، ۵G)، هوش مصنوعی در لبه (Edge AI) و رادار‌های خودرویی طراحی شده است.

یکی از برتری‌های کلیدی FDX Fusion، استفاده از قابلیت «تطبیق ولتاژ بدنه» (Adaptive Body Biasing) است که به طراحان اجازه می‌دهد عملکرد و مصرف انرژی تراشه را به‌صورت پویا تنظیم کنند. این ویژگی باعث می‌شود تراشه‌های ساخته‌شده با این فناوری، در عین حفظ کارایی بالا، مصرف انرژی بهینه‌تری نسبت به راهکارهای سنتی داشته باشند. GlobalFoundries معتقد است که برای کاربردهایی که نیاز به ترکیبی از حافظه تعبیه شده، آنالوگ و منطق دیجیتال دارند، این معماری یک مزیت رقابتی جدی محسوب می‌شود.

برنامه GlobalFoundries برای FDX Fusion بسیار بلندپروازانه است؛ این شرکت قصد دارد در سال ۲۰۲۸ تولید اولیه برای مشتریان را آغاز کرده و تا سال ۲۰۳۰ به تولید انبوه برسد. با توجه به هزینه‌های نجومی ساخت کارخانه‌های تراشه‌سازی مبتنی بر EUV، این حرکت GlobalFoundries می‌تواند برای شرکت‌هایی که نیاز به عملکرد بالا دارند اما بودجه‌های هنگفت شرکت‌های بزرگ تولیدکننده تراشه (مانند TSMC یا سامسونگ) را ندارند، یک جایگزین جذاب باشد. این فناوری می‌تواند بازار پردازنده‌های حوزه اینترنت اشیاء و تجهیزات مخابراتی را متحول کند.